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1N6073US

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 50V 3A 2PIN D-5A - Bulk

1N6073US 技術參數

1N6073 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:850mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.04V @ 9.4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6072A 功能描述:TVS DIODE 185VWM 328VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:185V 電壓 - 擊穿（最小值）:209V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:328V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:4.6A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N6072 功能描述:TVS DIODE 175VWM 344VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:175V 電壓 - 擊穿（最小值）:198V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:344V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:4.3A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N6071A 功能描述:TVS DIODE 170VWM 294VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:170V 電壓 - 擊穿（最小值）:190V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:294V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:5.1A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N6071 功能描述:TVS DIODE 165VWM 308VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:165V 電壓 - 擊穿（最小值）:180V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:308V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:4.9A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N6078US 1N6079 1N6079US 1N6080 1N6080US 1N6081 1N6081US 1N6095 1N6095R 1N6096 1N6096R 1N6097 1N6097R 1N6098 1N6098R 1N6100 1N6101 1N6102