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1N607A

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1N607A
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
86530
MICROSEMI
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

1N607A
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
6000
MICROSEMI
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

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1

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1N607A 技術參數

1N6079US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，G 供應商器件封裝:G-MELF（D-5C）工作溫度 - 結:-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6079 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6078US 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.76V @ 18.8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6078 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:1.3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.76V @ 18.8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6077US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.76V @ 18.8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6097R 1N6098 1N6098R 1N6100 1N6101 1N6102 1N6102A 1N6102AUS 1N6102US 1N6103 1N6103A 1N6103AUS 1N6103US 1N6104 1N6104A 1N6104AUS 1N6104US 1N6105