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1N6461US/TR

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  • 功能描述
  • UNI-DIRECTIONAL TVS
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態
  • 在售
  • 類型
  • 齊納
  • 單向通道
  • 1
  • 電壓 - 反向關態(典型值)
  • 5V
  • 電壓 - 擊穿(最小值)
  • 5.6V
  • 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp
  • 9V
  • 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs)
  • 56A
  • 功率 - 峰值脈沖
  • 500W
  • 電源線路保護
  • 應用
  • 通用
  • 不同頻率時的電容
  • -
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SQ-MELF,B
  • 供應商器件封裝
  • B,SQ-MELF
  • 標準包裝
  • 100
1N6461US/TR 技術參數
  • 1N6461US 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):5V 電壓 - 擊穿(最小值):5.6V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:9V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):315A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 標準包裝:1 1N646-1 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):300V 電流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 300V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6461 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):5V 電壓 - 擊穿(最小值):5.6V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:9V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):315A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1 1N646 1N645UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):225V 電流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6466US 1N6467 1N6467US 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1 1N6471US 1N6472 1N6472US 1N6473 1N6473US 1N6474 1N6474US
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