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1N6461US/TR

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功能描述
UNI-DIRECTIONAL TVS
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
在售
類型
齊納
單向通道
1
電壓 - 反向關態(tài)（典型值）
5V
電壓 - 擊穿（最小值）
5.6V
電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp
9V
電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）
56A
功率 - 峰值脈沖
500W
電源線路保護
無
應用
通用
不同頻率時的電容
-
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SQ-MELF，B
供應商器件封裝
B，SQ-MELF
標準包裝
100

1N6461US/TR 技術參數(shù)

1N6461US 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:5.6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:315A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N646-1 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 300V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6461 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:5.6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:315A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N646 1N645UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6466US 1N6467 1N6467US 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1 1N6471US 1N6472 1N6472US 1N6473 1N6473US 1N6474 1N6474US