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1N6638US/TR

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功能描述
SWITCHING
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件狀態
在售
二極管類型
標準
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
125V
電流 - 平均整流（Io）
300mA
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1.1V @ 200mA
速度
快速恢復 = 200mA（Io）
反向恢復時間（trr）
20ns
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
500nA @ 125V
不同?Vr，F 時的電容
2.5pF @ 0V，1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SQ-MELF，D
供應商器件封裝
D-5D
工作溫度 - 結
-65°C ~ 175°C
標準包裝
100

1N6638US/TR 技術參數

1N6638US 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N6638 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N6637US 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:400 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 標準包裝:1 1N6637 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:400 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E，軸向標準包裝:1 1N6636US 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 標準包裝:1 1N6657 1N6657R 1N6658 1N6658R 1N6659 1N6659R 1N6660 1N6660CAT1 1N6660CCT1 1N6660DT1 1N6660R 1N6661 1N6662 1N6662US 1N6663 1N6663US 1N6672 1N6672R