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1N752A.TR

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 856420

  • NationalSemiconductorCorp

  • 原廠封裝

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1N752A.TR 技術參數
  • 1N752A TR 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N752A BK 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N752A 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N751AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N751ATR 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N753A_S00Z 1N753A_T50A 1N753A_T50R 1N753A-1 1N753A-1TR 1N753ATR 1N753AUR-1 1N754A 1N754A BK 1N754A TR 1N754A_T50A 1N754A_T50R 1N754A-1 1N754ATR 1N754AUR-1 1N755A 1N755A BK 1N755A TR
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