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1N960

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  • 1N960B
    1N960B

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • VISHAY

  • DO-35

  • 最新批號

  • -
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  • 1N960B
    1N960B

    1N960B

  • 標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 42

  • FAIRCHILD

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  • 1N960B
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • FAIRCHILD

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共22條 
  • 1
1N960 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • SEMTECH
  • 制造商全稱
  • Semtech Corporation
  • 功能描述
  • SILICON PLANAR ZENER DIODES
1N960 技術(shù)參數(shù)
  • 1N959BTR 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):6.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N959BE3 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):6.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N959B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):6.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N959B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):6.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N959B TR 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):6.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N961B TR 1N961B_T50A 1N961BTR 1N962A 1N962B 1N962B BK 1N962B TR 1N962B_S00Z 1N962B_T50A 1N962B_T50R 1N962BTR 1N963A 1N963B 1N963B BK 1N963B TR 1N963B_T50A 1N963B_T50R 1N963BTR
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