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1N968C

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Silicon 500 mW Zener Diodes
1N968C 技術參數
  • 1N968BTR 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 15.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N968B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 15.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N968B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 15.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N968B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW 5% DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 15.2V 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N968B TR 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 15.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N970B BK 1N970B TR 1N970B_T50A 1N970B_T50R 1N970BTR 1N971A 1N971B 1N971B BK 1N971B TR 1N971B_T50A 1N971B_T50R 1N971BE3 1N971BTR 1N972A 1N972B 1N972B BK 1N972B TR 1N972B_T50A
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