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1N976BRL 技術(shù)參數(shù)

1N976B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N976B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N976B 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N976A 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N975B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N978B_T50R 1N979A 1N979B 1N979B_T50A 1N979B_T50R 1N980A 1N980B 1N981A 1N981B 1N982A 1N982B 1N983A 1N983B 1N984A 1N984B 1N985A 1N985B 1N986A