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1PMT7.0AT3G

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1PMT7.0AT3G
    1PMT7.0AT3G

    1PMT7.0AT3G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 6000

  • ON Semiconductor

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1PMT7.0AT3G
    1PMT7.0AT3G

    1PMT7.0AT3G

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 6550

  • ON

  • ROHS

  • 201311+

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存!400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
1PMT7.0AT3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 7V 200W Powermite Unidirectional
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 極性
  • Bidirectional
  • 工作電壓
  • 擊穿電壓
  • 58.9 V
  • 鉗位電壓
  • 77.4 V
  • 峰值浪涌電流
  • 38.8 A
  • 系列
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AB
  • 最小工作溫度
  • - 55 C
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
1PMT7.0AT3G 技術參數
  • 1PMT7.0AT1G 功能描述:TVS DIODE 7VWM 12VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):7V 電壓 - 擊穿(最小值):7.78V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:12V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):- 功率 - 峰值脈沖:1000W(1kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:3,000 1PMT7.0AT1 功能描述:TVS DIODE 7VWM 12VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):7V 電壓 - 擊穿(最小值):7.78V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:12V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):- 功率 - 峰值脈沖:1000W(1kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:3,000 1PMT5956E3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):200V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 1PMT5956E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):200V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 1PMT5956CE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):200V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 1PS16 1PS181,115 1PS181,135 1PS184,115 1PS184,135 1PS193,115 1PS193,135 1PS226,115 1PS226,135 1PS300,115 1PS301,115 1PS301/ZLX 1PS302,115 1PS59SB10,115 1PS59SB14,115 1PS59SB15,115 1PS59SB16,115 1PS59SB20,115
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