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1SR154-400TE25CT

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1SR154-400TE25CT 技術參數
  • 1SR154-400TE25A 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AC,SMA 供應商器件封裝:PMDS 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:1 1SR154-400TE25 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AC,SMA 供應商器件封裝:PMDS 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:1 1SR153-400T-32 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A MSR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 800mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-41 迷你型,軸向 供應商器件封裝:MSR 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:1 1SR153-400T-31 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 800mA 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-41 迷你型,軸向 供應商器件封裝:MSR 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:2,500 1SR139-600T-32 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A MSR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-41 迷你型,軸向 供應商器件封裝:MSR 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:2,500 1SS02-22.5 1SS03-10.4 1SS04-11.0 1SS06-12.0 1SS08-08.0 1SS08-15.0 1SS09-09.5 1SS09-10.4 1SS09-15.0 1SS09-16.0 1SS09-19.0 1SS09-22.5 1SS133M R0G 1SS133T-72 1SS133T-77 1SS181,LF 1SS181S,LF(D 1SS181-TP
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