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1SR159-200 / 63

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1SR159-200 / 63 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1SR159-200 / 63 技術參數

1SR156-400TE25 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 800mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:PMDS 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SR154-600TE25 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:PMDS 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SR154-400TE25A 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:PMDS 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SR154-400TE25 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:PMDS 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SR153-400T-32 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A MSR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 800mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-41 迷你型，軸向供應商器件封裝:MSR 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SS04-11.0 1SS06-12.0 1SS08-08.0 1SS08-15.0 1SS09-09.5 1SS09-10.4 1SS09-15.0 1SS09-16.0 1SS09-19.0 1SS09-22.5 1SS133M R0G 1SS133T-72 1SS133T-77 1SS181,LF 1SS181S,LF(D 1SS181-TP 1SS184,LF 1SS184S,LF(D