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1SS190E3

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1SS190E3 技術參數
  • 1SS187,LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 工作溫度 - 結:125°C(最大) 標準包裝:3,000 1SS184-TP 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 1SS184S,LF(D 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:生命周期結束 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:3,000 1SS184,LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 1SS181-TP 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):100mA(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 1SS250(TE85L,F) 1SS272TE85LF 1SS294,LF 1SS294S,LF(D 1SS295(TE85L,F) 1SS300,LF 1SS301,LF 1SS301SU,LF 1SS302A,LF 1SS302TE85LF 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F 1SS308(TE85L,F 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E
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