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1SS221-T1B/A14

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說明
操作

1SS221-T1B/A14
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
NEC
SOT-23
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨!

1SS221-T1B/A14
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
3000
NEC
SOT-23
04+
-
現(xiàn)貨特價CXW

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您是不是要找： 1SS226,LF 1SS226-TP 1SS244T-72 1SS244T-77 1SS250(TE85L,F) 1SS272TE85LF 1SS294,LF 1SS294S,LF(D 1SS295(TE85L,F)

1SS221-T1B/A14 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

1SS221-T1B/A14 技術(shù)參數(shù)

1SS196(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59-3 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS193-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 工作溫度 - 結(jié):150°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1SS193S,LF(D 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):生命周期結(jié)束二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1SS193,LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS190TE85LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59-3 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS300,LF 1SS301,LF 1SS301SU,LF 1SS302A,LF 1SS302TE85LF 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F 1SS308(TE85L,F 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17