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1SS268/BF

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  • 1SS268/BF
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  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • 1SS268/BF
    1SS268/BF

    1SS268/BF

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • TOSHIBA

  • 標準封裝

  • 2011

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  • 1SS268/BF
    1SS268/BF

    1SS268/BF

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

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1SS268/BF 技術參數(shù)
  • 1SS250(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 工作溫度 - 結:125°C(最大) 標準包裝:1 1SS244T-77 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 200MA MSD 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):220V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 220V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AG,DO-34,軸向 供應商器件封裝:MSD 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:5,000 1SS244T-72 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 200MA MSD 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):220V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 220V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AG,DO-34,軸向 供應商器件封裝:MSD 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:5,000 1SS226-TP 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對串聯(lián) 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 1SS226,LF 功能描述:PB-F S-MINI M8 DIODE (LF), IFM=3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對串聯(lián) 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 工作溫度 - 結:125°C(最大) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:3,000 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F 1SS308(TE85L,F 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17 1SS356TW11 1SS360(T5L,F,T) 1SS361,LJ(CT 1SS361CT(TPL3) 1SS361FV,L3F(T
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