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1SS317(6B)

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操作

1SS317(6B)
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
2000
NEC
標準封裝
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質量

1SS317(6B)
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
NEC
標準封裝
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質量

1SS317(6B)
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
2000
NEC
標準封裝
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質量

1SS317(6B)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
150000
NEC
SOD323
2024+
-
絕對現貨

1SS317(6B)
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
8000
AD574JD
AD7572KP
21+
-
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您是不是要找： 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17 1SS356TW11 1SS360(T5L,F,T)

1SS317(6B) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1SS317(6B) 技術參數

1SS315TPH3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基 - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:5V 電流 - 最大值:30mA 不同?Vr，F 時的電容:0.6pF @ 0.2V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SS309(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管配置:4 共陰極二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商器件封裝:SMV 標準包裝:1 1SS308(TE85L,F 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管配置:4 共陽極二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商器件封裝:SC-74A，5 迷你型塑模標準包裝:1 1SS307E,L3F 功能描述:DIODE SW GP 80V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:6pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:SC-79 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SS307(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:6pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS361,LJ(CT 1SS361CT(TPL3) 1SS361FV,L3F(T 1SS361LP3-7 1SS361LPH4-7B 1SS361UDJ-7 1SS362FV,L3F 1SS362TE85LF 1SS366-TB-E 1SS367,H3F 1SS370TE85LF 1SS374(TE85L,F) 1SS375-TL-E 1SS378(TE85L,F) 1SS379,LF 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF