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1SS319(F)

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  • 制造商
  • Toshiba
  • 功能描述
  • 40V 0.1A SMQ Tape & Reel
1SS319(F) 技術參數
  • 1SS315TPH3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 - 單 電壓 - 峰值反向(最大值):5V 電流 - 最大值:30mA 不同?Vr,F 時的電容:0.6pF @ 0.2V,1MHz 不同?If,F 時的電阻:- 功率耗散(最大值):- 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SS309(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管配置:4 共陰極 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A,SOT-753 供應商器件封裝:SMV 標準包裝:1 1SS308(TE85L,F 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管配置:4 共陽極 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A,SOT-753 供應商器件封裝:SC-74A,5 迷你型塑模 標準包裝:1 1SS307E,L3F 功能描述:DIODE SW GP 80V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:6pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應商器件封裝:SC-79 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:1 1SS307(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 30V 不同?Vr,F 時的電容:6pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 工作溫度 - 結:125°C(最大) 標準包裝:1 1SS361,LJ(CT 1SS361CT(TPL3) 1SS361FV,L3F(T 1SS361LP3-7 1SS361LPH4-7B 1SS361UDJ-7 1SS362FV,L3F 1SS362TE85LF 1SS366-TB-E 1SS367,H3F 1SS370TE85LF 1SS374(TE85L,F) 1SS375-TL-E 1SS378(TE85L,F) 1SS379,LF 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF
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