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1SS352A(TH3PAV,E)

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    1SS352A(TH3PAV,E)

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

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1SS352A(TH3PAV,E) 技術參數
  • 1SS352,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:3pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76A 供應商器件封裝:SC-76-2 工作溫度 - 結:125°C(最大) 標準包裝:1 1SS351-TB-E 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30MA 5V CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 - 1 對串聯 電壓 - 峰值反向(最大值):5V 電流 - 最大值:30mA 不同?Vr,F 時的電容:0.9pF @ 0.2V,1MHz 不同?If,F 時的電阻:- 功率耗散(最大值):- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 1SS319(TE85L,F) 功能描述:DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管配置:2 個獨立式 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):600mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 40V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SC-61B 標準包裝:1 1SS315TPH3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 - 單 電壓 - 峰值反向(最大值):5V 電流 - 最大值:30mA 不同?Vr,F 時的電容:0.6pF @ 0.2V,1MHz 不同?If,F 時的電阻:- 功率耗散(最大值):- 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SS309(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管配置:4 共陰極 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A,SOT-753 供應商器件封裝:SMV 標準包裝:1 1SS361LP3-7 1SS361LPH4-7B 1SS361UDJ-7 1SS362FV,L3F 1SS362TE85LF 1SS366-TB-E 1SS367,H3F 1SS370TE85LF 1SS374(TE85L,F) 1SS375-TL-E 1SS378(TE85L,F) 1SS379,LF 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF 1SS383(TE85L,F) 1SS383T1G 1SS384TE85LF
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