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1SS355-TE-17/A

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1SS355-TE-17/A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1SS355-TE-17/A 技術參數

1SS355TE-17 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0.5V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-90，SOD-323F 供應商器件封裝:UMD2 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SS355 RRG 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 500mV，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-90，SOD-323F 供應商器件封裝:SOD-323F 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1SS352,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76A 供應商器件封裝:SC-76-2 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS351-TB-E 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30MA 5V CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基 - 1 對串聯電壓 - 峰值反向（最大值）:5V 電流 - 最大值:30mA 不同?Vr，F 時的電容:0.9pF @ 0.2V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 1SS319(TE85L,F) 功能描述:DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 40V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SC-61B 標準包裝:1 1SS361UDJ-7 1SS362FV,L3F 1SS362TE85LF 1SS366-TB-E 1SS367,H3F 1SS370TE85LF 1SS374(TE85L,F) 1SS375-TL-E 1SS378(TE85L,F) 1SS379,LF 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF 1SS383(TE85L,F) 1SS383T1G 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F