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1SS355TF

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  • 1SS355TFTE-17
    1SS355TFTE-17

    1SS355TFTE-17

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • 原裝

  • SOD1

  • 22+

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  • 全新原裝現(xiàn)貨供應

  • 1SS355TF
    1SS355TF

    1SS355TF

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ROHM

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 1SS355TF TE-17
    1SS355TF TE-17

    1SS355TF TE-17

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ROHM

  • -
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1SS355TF 技術參數(shù)
  • 1SS355TE-17 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0.5V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-90,SOD-323F 供應商器件封裝:UMD2 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:1 1SS355 RRG 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:4pF @ 500mV,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-90,SOD-323F 供應商器件封裝:SOD-323F 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1SS352,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76A 供應商器件封裝:SC-76-2 工作溫度 - 結:125°C(最大) 標準包裝:1 1SS351-TB-E 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30MA 5V CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 - 1 對串聯(lián) 電壓 - 峰值反向(最大值):5V 電流 - 最大值:30mA 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:0.9pF @ 0.2V,1MHz 不同?If,F(xiàn) 時的電阻:- 功率耗散(最大值):- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 1SS319(TE85L,F) 功能描述:DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管配置:2 個獨立式 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):600mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 40V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SC-61B 標準包裝:1 1SS361UDJ-7 1SS362FV,L3F 1SS362TE85LF 1SS366-TB-E 1SS367,H3F 1SS370TE85LF 1SS374(TE85L,F) 1SS375-TL-E 1SS378(TE85L,F) 1SS379,LF 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF 1SS383(TE85L,F) 1SS383T1G 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F
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