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1SS358GP

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1SS358GP 技術參數

1SS356TW11 功能描述:DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準 - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:35V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:900 毫歐 @ 2mA，100MHz 功率耗散（最大值）:200mW 封裝/外殼:SC-90，SOD-323F 供應商器件封裝:UMD2 標準包裝:1 1SS355WTE-17 1SS355VMTE-17 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0.5V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-90，SOD-323F 供應商器件封裝:UMD2 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SS355-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD323 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 6V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1SS355TE-17 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0.5V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-90，SOD-323F 供應商器件封裝:UMD2 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SS366-TB-E 1SS367,H3F 1SS370TE85LF 1SS374(TE85L,F) 1SS375-TL-E 1SS378(TE85L,F) 1SS379,LF 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF 1SS383(TE85L,F) 1SS383T1G 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F 1SS388-TP 1SS389,H3F 1SS389,L3F