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1SV308(TH3,F)

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說明
操作

1SV308(TH3,F)
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
203
Toshiba Semiconductor and
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： 1SV308,L3F 1SV310TPH3F 1SV311(TPH3,F) 1SV314(TPL3,F) 1SV315-TL-E 1SV322(TPH3,F) 1SV323,H3F 1SV324TPH3F 1SV325,H3F

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制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
DIODE PIN 30V ESC

1SV308(TH3,F) 技術參數

1SV307(TPH3,F) 功能描述:SWITCHING DIODE 30V 2 USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準 - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F 時的電容:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:1.5 歐姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SV305,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效不同?Vr，F 時的電容:6.6pF @ 4V，1MHz 電容比:3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV304TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效不同?Vr，F 時的電容:6.6pF @ 4V，1MHz 電容比:3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SV285TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效不同?Vr，F 時的電容:2.35pF @ 4V，1MHz 電容比:2.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV282TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 34V SINGLE ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 25V，1MHz 電容比:12.5 電容比條件:C2/C25 電壓 - 峰值反向（最大值）:34V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG 1SX250LH3F55I2VG 1SX250LH3F55I3VG 1SX250LN2F43E1VG 1SX250LN2F43E2LG 1SX250LN2F43E2VG