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1T4G R0G

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1T4G R0G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態
  • 在售
  • 二極管類型
  • 標準
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 400V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 1A
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf
  • 1V @ 1A
  • 速度
  • 標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 5μA @ 400V
  • 不同?Vr,F 時的電容
  • 10pF @ 4V,1MHz
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • T-18,軸向
  • 供應商器件封裝
  • TS-1
  • 工作溫度 - 結
  • -55°C ~ 150°C
  • 標準包裝
  • 5,000
1T4G R0G 技術參數
  • 1T4G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1T4G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1T3G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1T3G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1T3G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1TS03 1TS08 1TS09 1TS16 1TW 1U00 1U03 1U08 1U09 1U16 1UHD844124FTC 1UHD904118FTC 1US03 1US08 1US09 1US16 1UW 1V00
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