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1TB125DJNB010

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1TB125DJNB010 技術參數
  • 1T7G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1T7G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1T7G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1T6G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1T6G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1U16 1UHD844124FTC 1UHD904118FTC 1US03 1US08 1US09 1US16 1UW 1V00 1V03 1V08 1V09 1V15F1100 1V15F1139 1V16 1V5KE100A 1V5KE100CA 1V5KE10A
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