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1TF86174SQT.

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1TF86174SQT. 技術參數

1T7G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1T7G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售二極管類型:標準電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1T7G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售二極管類型:標準電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1T6G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1T6G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1U16 1UHD844124FTC 1UHD904118FTC 1US03 1US08 1US09 1US16 1UW 1V00 1V03 1V08 1V09 1V15F1100 1V15F1139 1V16 1V5KE100A 1V5KE100CA 1V5KE10A