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1N4007-E3

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1N4007-E3 技術參數

1N4007B-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 1N4007-B 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:* 標準包裝:1,000 1N4007/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4007 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:新產品二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N4007 BK 功能描述:DIODE GPP 1A 1000V DO41 AXIAL 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,000 1N4007-G 1N4007G A0G 1N4007G B0G 1N4007G R0G 1N4007G R1G 1N4007GHA0G 1N4007GHB0G 1N4007GHR0G 1N4007GHR1G 1N4007GL-T 1N4007GP 1N4007GP-E3/53 1N4007GP-E3/54 1N4007GP-E3/73 1N4007GPE-E3/53 1N4007GPE-E3/54 1N4007GPE-E3/73 1N4007GPE-E3/91