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1N5376B

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功能描述
DIODE ZENER 87V 5W T-18
RoHS
否
類別
分離式半導體產品 >> 單二極管/齊納
系列
-
標準包裝
1
系列
-
電壓 - 齊納（標稱）(Vz)
36V
電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）
900mV @ 10mA
電流 - 在 Vr 時反向漏電
100nA @ 27V
容差
±5%
功率 - 最大
200mW
阻抗（最大）(Zzt)
70 歐姆
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應商設備封裝
SOT-323
包裝
剪切帶 (CT)
工作溫度
-65°C ~ 150°C
產品目錄頁面
1585 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

1N5376B 技術參數

1N5376AE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 87V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:87V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:75 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 63V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5376AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 87V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:87V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:75 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 63V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 1N5376AE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 87V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:87V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:75 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 63V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5376A/TR8 功能描述:DIODE ZENER 87V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:87V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:75 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 63V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5376A/TR12 功能描述:DIODE ZENER 87V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:87V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:75 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 63V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5376CE3/TR13 1N5376CE3/TR8 1N5376E3/TR12 1N5376E3/TR13 1N5376E3/TR8 1N5377/TR12 1N5377/TR8 1N5377A/TR12 1N5377A/TR8 1N5377AE3/TR12 1N5377AE3/TR13 1N5377AE3/TR8 1N5377B 1N5377B/TR12 1N5377B/TR8 1N5377BE3/TR12 1N5377BE3/TR13 1N5377BE3/TR8