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1N823

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Zener Single 6.2V 5% 500mW 2-Pin DO-35
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 6.2V 5% 500MW 2PIN DO-35 - Bulk
制造商
American Power Devices Inc
功能描述
DIODE ZENER VZ 6.2V
制造商
American Power Devices Inc
功能描述
DIODE, ZENER, VZ 6.2V
制造商
American Power Devices Inc
功能描述
ZENER DIODE, 500mW, 6.2V, DO-35; Zener Voltage Vz Typ

1N823 技術參數

1N822 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應商器件封裝:DO-7 標準包裝:1 1N821UR-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N821AUR-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N821AUR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N821A, SEL. 1% VBR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:100 1N825-1 1N825A 1N825A (DO35) 1N825AUR 1N825AUR-1 1N825UR-1 1N826 1N827 1N827-1 1N827A 1N827A (DO35) 1N827AUR 1N827AUR-1 1N827UR-1 1N828 1N829 1N829-1 1N829A