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1PMT16AT

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1PMT16AT 技術參數

1PMT12AT3G 功能描述:TVS DIODE 12VWM POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:12V 電壓 - 擊穿（最小值）:13.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:19.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:12,000 1PMT12AT3 功能描述:TVS DIODE 12VWM POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:12V 電壓 - 擊穿（最小值）:13.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:19.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:12,000 1PMT12AT1G 功能描述:TVS DIODE 12VWM POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:12V 電壓 - 擊穿（最小值）:13.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:19.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:1 1PMT12AT1 功能描述:TVS DIODE 12VWM POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:12V 電壓 - 擊穿（最小值）:13.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:19.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:10 1PLDES1800 功能描述:DESICCANT 1 UNIT 1800/DRUM 制造商:scs 系列:- 包裝:鼓零件狀態:有效清潔劑，處理方式:干燥劑使用:濕氣吸收規格:高嶺黏土，無硫數量:1800（4.5" 長 x 3" 寬）備注:* 標準包裝:1 1PMT26AT1G 1PMT28AT1 1PMT28AT1G 1PMT30AT1 1PMT30AT1G 1PMT33AT1 1PMT33AT1G 1PMT33AT3 1PMT33AT3G 1PMT36AT1 1PMT4099/TR13 1PMT4099/TR7 1PMT4099C/TR13 1PMT4099C/TR7 1PMT4099CE3/TR13 1PMT4099CE3/TR7 1PMT4099E3/TR13 1PMT4099E3/TR7