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1PMT16AT3G

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功能描述
TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 16V 200W Powermite Unidirectional
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
極性
Bidirectional
工作電壓
擊穿電壓
58.9 V
鉗位電壓
77.4 V
峰值浪涌電流
38.8 A
系列
封裝 / 箱體
DO-214AB
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C

1PMT16AT3G 技術參數

1PMT16AT3 功能描述:TVS DIODE 16VWM 26VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:16V 電壓 - 擊穿（最小值）:17.8V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:26V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:12,000 1PMT16AT1G 功能描述:TVS DIODE 16VWM 26VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:16V 電壓 - 擊穿（最小值）:17.8V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:26V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:10 1PMT16AT1 功能描述:TVS DIODE 16VWM 26VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:16V 電壓 - 擊穿（最小值）:17.8V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:26V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:10 1PMT12AT3G 功能描述:TVS DIODE 12VWM POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:12V 電壓 - 擊穿（最小值）:13.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:19.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:12,000 1PMT12AT3 功能描述:TVS DIODE 12VWM POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:12V 電壓 - 擊穿（最小值）:13.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:19.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:12,000 1PMT30AT1G 1PMT33AT1 1PMT33AT1G 1PMT33AT3 1PMT33AT3G 1PMT36AT1 1PMT4099/TR13 1PMT4099/TR7 1PMT4099C/TR13 1PMT4099C/TR7 1PMT4099CE3/TR13 1PMT4099CE3/TR7 1PMT4099E3/TR13 1PMT4099E3/TR7 1PMT40AT1 1PMT4100/TR13 1PMT4100/TR7 1PMT4100C/TR13