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1SS226

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1SS226
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
69200
TOSHIBA
SOT-23
18+
-
全新原裝，優勢庫存

1SS226
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
36200
TOSHIBA
SOT23
18+
-
原裝正品，歡迎訂購

1SS226-TP
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
3000
MICRO COMMERCIAL COMPONEN
主營優勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

1SS226
深圳市品業電子有限公司
深圳市品業電子有限公司
聯系人：李小姐
電話：0755-23895664
地址：華強街道振華路深紡大廈C座2樓2H55
11034
CJ
SOT23
15+
-
只做原裝正品現貨價格優勢

1SS226
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
3786
TOSHIBA
SOT-23
2202+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

1SS226(T5LFT)
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
3328
TOSHIBA
SOT-23
2207+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

1SS226
深圳市軒盛達電子有限公司
深圳市軒盛達電子有限公司
聯系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現貨，代找緊缺料

1SS226(TE85L,F)
東莞鼎岑科技有限公司
東莞鼎岑科技有限公司
聯系人：莫
電話：18925581989
地址：廣東省東莞市塘廈鎮林村大道445號北鉅業大夏319室
5003
TOSHIBA
SOT-23
21+
-

1SS226,LF(T
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區新安街道翻身路117號富源商貿中心D棟601
9000
TOS
ORIGONAL
16+
-
0.02124 USD,szpoweri...

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制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述

1SS226 技術參數

1SS196(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59-3 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS193-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:3,000 1SS193S,LF(D 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:生命周期結束二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:3,000 1SS193,LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS190TE85LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59-3 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS300,LF 1SS301,LF 1SS301SU,LF 1SS302A,LF 1SS302TE85LF 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F 1SS308(TE85L,F 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17

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