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參數資料
| 型號： | 100GB120DNK |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 157K |
| 代理商： | 100GB120DNK |
1
Oct-21-1997
BSM 100 GB 120 DN2
IGBT Power Module
Half-bridge
Including fast free-wheeling diodes
Package with insulated metal base plate
Type
BSM 100 GB 120 DN2
V
CE
1200V 150A
I
C
Package
HALF-BRIDGE 2
Ordering Code
C67076-A2107-A70
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
R
GE
= 20 k
Gate-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Power dissipation per IGBT
T
C
= 25 °C
Chip temperature
Storage temperature
Symbol
V
CE
V
CGR
Values
1200
Unit
V
1200
± 20
V
GE
I
C
100
150
A
I
Cpuls
200
300
P
tot
800
+ 150
W
T
j
T
stg
°C
-40 ... + 125
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
R
thJC
R
thJC
D
V
is
-
-
-
-
≤
0.16
≤
0.3
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
K/W
Vac
mm
sec
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 100GB170DN2 | IGBT Module |
| 100GT120DN2 | IGBT Module |
| 100GXHH22 | DIODE (HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATIONS) |
| 100K6A372I | THERMISTOR NTC |
| 100U | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 100GB170DN2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 100-GC2321 | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| 100-GC2322 | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| 100-GC2323 | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| 100-GC6NLT1 | 制造商:MTU 制造商全稱:MTU 功能描述:GAS Engine-Generator Set |
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