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參數資料
| 型號： | 10ETS08STRR |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | SMD-220, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 2/7頁 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | 10ETS08STRR |
2
10ETS.., 10ETS..S SAFE
IR Series
Bulletin I2121 rev. C 12/01
www.irf.com
I
F(AV) Max. Average Forward Current
10
A
@ T
C = 105° C, 180° conduction half sine wave
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
170
10ms Sine pulse, rated VRRMapplied
SurgeCurrent
200
10msSine pulse,novoltagereapplied
I2t
Max. I2t for fusing
130
10ms Sine pulse, rated VRRMapplied
145
10msSinepulse,novoltagereapplied
I2
√t Max. I2√t for fusing
1450
A2
√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
Part Number
V
RRM , maximum
V
RSM , maximum non repetitive
I
RRM
peak reverse voltage
150°C
VV
mA
10ETS08, 10ETS08S
800
900
0.5
10ETS12, 10ETS12S
1200
1300
Voltage Ratings
T
J
Max. Junction Temperature Range
- 40 to 150
°C
T
stg
Max. Storage Temperature Range
- 40 to 150
°C
R
thJC Max. Thermal Resistance Junction
2.5
°C/W
DCoperation
to Case
R
thJA Max. Thermal Resistance Junction
62
°C/W
to Ambient (PCB Mount)*
T
s
SolderingTemperature
240
°C
wt
Approximate Weight
2 (0.07)
g(oz.)
CaseStyle
TO-220AC, D2Pak (SMD-220)
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
10ETS..
Units
Conditions
Absolute Maximum Ratings
Electrical Specifications
Parameters
10ETS..
Units
Conditions
A
A2s
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
1.1
V
@ 10A, T
J = 25°C
r
t
Forward slope resistance
20
m
VF(TO) Threshold voltage
0.82
V
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
0.05
T
J =
25 °C
0.50
TJ = 150 °C
Parameters
10ETS..
Units
Conditions
T
J =
150°C
V
R = rated VRRM
mA
* When mounted on 1" square (650mm2) PCB of FR-4 or G-10 material 4 oz (140m) copper 40°C/W
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5818H02-4 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N5818U01 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N5822H32-1 | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1F6-F | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4937U06 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 10ETS08STRRPBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Input Rectifier Diode, 10 A |
| 10ETS10 | 功能描述:整流器 1000 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 10ETS10S | 功能描述:整流器 1000 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 10ETS10SPBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Input Rectifier Diode, 10 A |
| 10ETS10STRL | 功能描述:整流器 10 Amp 1000 Volt 200 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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