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參數(shù)資料
| 型號： | 11DQ09TA2B5 |
| 廠商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 150K |
| 代理商： | 11DQ09TA2B5 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5000 | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 16KQ100B | 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5255B133 | 28 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5247B116 | 17 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1SS83TA | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 11DQ09TR | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 90V 1.1A DO-41 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 11DQ09TR-M3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1.1 A |
| 11DQ10 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 1.1A DO-41 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 11DQ10-M3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1.1 A |
| 11DQ10-T3 | 制造商:Sensitron Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 100V 1.1A 2-Pin DO-41 T/R |
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