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參數(shù)資料
| 型號： | 1226A2 |
| 英文描述： | Peripheral IC |
| 中文描述： | 外圍芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 558K |
| 代理商： | 1226A2 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1226B0 | Peripheral IC |
| 1226B1 | Peripheral IC |
| 1226B2 | Peripheral IC |
| 1226G0 | Peripheral IC |
| 1226G1 | Peripheral IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1226AL | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:BUSHING, INSUL 制造商:Thomas & Betts 功能描述:Fittings Bushing 1.5inch Aluminum |
| 1226AS-H-100M | 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor fixed SMD 10uH 20% 1A |
| 1226AS-H-100M=P2 | 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 1A 216 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:650mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:216 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.118" 寬（3.20mm x 3.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.059"（1.50mm） 標準包裝:1 |
| 1226AS-H-120M | 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor fixed SMD 12uH 20% 0,85A |
| 1226AS-H-120M=P2 | 功能描述:12μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 275 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:12μH 容差:±20% 額定電流:850mA 電流 - 飽和值:600mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:275 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.118" 寬（3.20mm x 3.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.059"（1.50mm） 標準包裝:1 |
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