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參數資料
型號: 1248A2
英文描述: Peripheral IC
中文描述: 外圍芯片
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 558K
代理商: 1248A2
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PDF描述
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參數描述
1248AS-H-100M=P3 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 52.8 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8040C 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:3.4A 電流 - 飽和值:4.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):52.8 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.157"(4.00mm) 標準包裝:1
1248AS-H-150M=P3 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 78 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8040C 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:15μH 容差:±20% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:3.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):78 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.157"(4.00mm) 標準包裝:1
1248AS-H-1R5N=P3 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 8A 10.1 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8040C 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±30% 額定電流:8A 電流 - 飽和值:10A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):10.1 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.157"(4.00mm) 標準包裝:1
1248AS-H-220M=P3 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 126 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8040C 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:2.2A 電流 - 飽和值:2.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):126 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.157"(4.00mm) 標準包裝:1
1248AS-H-2R2N=P3 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 7A 13.2 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8040C 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:7A 電流 - 飽和值:8.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):13.2 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.157"(4.00mm) 標準包裝:1
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