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參數資料
| 型號： | 13003BR |
| 廠商： | 永盛國際集團 |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | 13003BR |
13003
TRANSISTOR（ NPN ）
FEATURES
Power dissipation
PCM :
1.5
W（Tamb=25℃）
Collector current
ICM
:
1.5
A
Collector-base voltage
V(BR)CBO :
700
V
Operating and storage junction temperature range
TJ，Tstg: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL
CHARACTERISTICS（Tamb=25℃
unless
otherwise
specified）
Parameter
Symbol
Test
conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO
Ic= 1000 A，IE=0
700
V
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)CEO
Ic= 10
mA，IB=0
400
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO
IE= 1000 A，IC=0
9
V
Collector cut-off current
ICBO
VCB= 700 V， IE=0
1000
A
Collector cut-off current
ICEO
VCE= 400 V， IB=0
500
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=
9
V， IC=0
1000
A
hFE（1）
VCE= 2 V, IC= 0.5 A
8
40
DC current gain
hFE（2）
VCE= 10 V, IC= 0.5 mA
5
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC=1000m A,IB=250 mA
1
V
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat)
IC=1000m A, IB= 250mA
1.2
V
Base-emitter voltage
VBE
IE= 2000 mA
3
V
Transition frequency
fT
Ic=100mA,VCE=10V
f=1MHZ
5
MHZ
Fall time
tf
0.5
S
Storage time
ts
Vcc=100V,
Ic=1A
IB1=-IB2=0.2A
2.5
S
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
Range
8-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
1 2 3
TO—220
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
HSiN Semiconductor Pte Ltd
www.hsin.com.sg
Transistor (NPN)
13003
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5817 | Schottky Barrier Rectifiers |
| 1N5818 | Schottky Barrier Rectifiers |
| 1N5819 | Schottky Barrier Rectifiers |
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| 1N753A | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 13003CB | 制造商:DIALIGHT 制造商全稱:Dialight Corporation 功能描述:White LED Products for Bus Applications |
| 130-03CB-801 | 制造商:Dialight 功能描述: |
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| 1300-3XX-1 | 制造商:E-Switch Inc 功能描述: |
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