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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 13003BR |
| 廠(chǎng)商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | 1.5 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 300 AND 400 VOLTS 40 WATTS |
| 中文描述： | 1.5安培NPN硅功率晶體管300和400伏40瓦 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 125K |
| 代理商： | 13003BR |
13003
TRANSISTOR（ NPN ）
FEATURES
Power dissipation
PCM :
1.5
W（Tamb=25℃）
Collector current
ICM
:
1.5
A
Collector-base voltage
V(BR)CBO :
700
V
Operating and storage junction temperature range
TJ，Tstg: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL
CHARACTERISTICS（Tamb=25℃
unless
otherwise
specified）
Parameter
Symbol
Test
conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO
Ic= 1000 A，IE=0
700
V
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)CEO
Ic= 10
mA，IB=0
400
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO
IE= 1000 A，IC=0
9
V
Collector cut-off current
ICBO
VCB= 700 V， IE=0
1000
A
Collector cut-off current
ICEO
VCE= 400 V， IB=0
500
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=
9
V， IC=0
1000
A
hFE（1）
VCE= 2 V, IC= 0.5 A
8
40
DC current gain
hFE（2）
VCE= 10 V, IC= 0.5 mA
5
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC=1000m A,IB=250 mA
1
V
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat)
IC=1000m A, IB= 250mA
1.2
V
Base-emitter voltage
VBE
IE= 2000 mA
3
V
Transition frequency
fT
Ic=100mA,VCE=10V
f=1MHZ
5
MHZ
Fall time
tf
0.5
S
Storage time
ts
Vcc=100V,
Ic=1A
IB1=-IB2=0.2A
2.5
S
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
Range
8-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
1 2 3
TO—220
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
HSiN Semiconductor Pte Ltd
www.hsin.com.sg
Transistor (NPN)
13003
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