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參數(shù)資料
型號(hào): 13003BR
廠商: MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述: POWER TRANSISTORS(1.5A,300-400V,40W)
中文描述: 功率晶體管(1.5A的,300 -為400V,功率40W)
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 125K
代理商: 13003BR
13003
TRANSISTOR( NPN )
FEATURES
Power dissipation
PCM :
1.5
W(Tamb=25℃)
Collector current
ICM
:
1.5
A
Collector-base voltage
V(BR)CBO :
700
V
Operating and storage junction temperature range
TJ,Tstg: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL
CHARACTERISTICS(Tamb=25℃
unless
otherwise
specified)
Parameter
Symbol
Test
conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO
Ic= 1000 A,IE=0
700
V
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)CEO
Ic= 10
mA,IB=0
400
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO
IE= 1000 A,IC=0
9
V
Collector cut-off current
ICBO
VCB= 700 V, IE=0
1000
A
Collector cut-off current
ICEO
VCE= 400 V, IB=0
500
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=
9
V, IC=0
1000
A
hFE1
VCE= 2 V, IC= 0.5 A
8
40
DC current gain
hFE2
VCE= 10 V, IC= 0.5 mA
5
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC=1000m A,IB=250 mA
1
V
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat)
IC=1000m A, IB= 250mA
1.2
V
Base-emitter voltage
VBE
IE= 2000 mA
3
V
Transition frequency
fT
Ic=100mA,VCE=10V
f=1MHZ
5
MHZ
Fall time
tf
0.5
S
Storage time
ts
Vcc=100V,
Ic=1A
IB1=-IB2=0.2A
2.5
S
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
Range
8-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
1 2 3
TO—220
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
HSiN Semiconductor Pte Ltd
www.hsin.com.sg
Transistor (NPN)
13003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5518A 0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES
1N5518B 0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES
1N5518C 0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES
1N5518D 0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES
1N5546B 0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES
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參數(shù)描述
13003CB 制造商:DIALIGHT 制造商全稱:Dialight Corporation 功能描述:White LED Products for Bus Applications
130-03CB-801 制造商:Dialight 功能描述:
13003EZ-E1 制造商:BCDSEMI 制造商全稱:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
130-03RT-808 制造商:Dialight 功能描述:Marker- 24V Red Mini Marker Exane Wire
1300-3XX-1 制造商:E-Switch Inc 功能描述:
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