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參數(shù)資料

Nov-24-1997

BSM 150 GAL 120 DN2

Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Values

Unit

min.

typ.

max.

Chopper Diode

Chopper diode forward voltage

IFC = 200 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C

IFC = 200 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C

VFC

1.8

2.5

Reverse recovery time, chopper

IFC = 200 A, VR = -600 V, VGE = 0 V

diF/dt = -2000 A/s, Tj = 125 °C

trrC

0.5

Reverse recovery charge, chopper

IFC = 200 A, VR = -600 V, VGE = 0 V

diF/dt = -2000 A/s

Tj = 25 °C

Tj = 125 °C

QrrC

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150GAST25	功能描述:瓷片電容器 15000V 250pF 20% RoHS:否制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
150GAST50	功能描述:瓷片電容器 15000V 500pF 20% RoHS:否制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
150GAT10	功能描述:瓷片電容器 15000V 100pF 20% RoHS:否制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
150GAT25	功能描述:瓷片電容器 15000V 250pF 20% RoHS:否制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors

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