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參數資料
| 型號： | 150GT120DN2 |
| 英文描述： | Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 302K |
| 代理商： | 150GT120DN2 |
8
Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2
Forward characteristics of fast recovery
reverse diode
IF = f(VF)
parameter: Tj
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
3.0
V
F
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
A
300
I
F
T
j=25°C
=125°C
j
T
Transient thermal impedance Diode
Zth JC = (tp)
parameter: D = tp / T
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
K/W
ZthJC
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
tp
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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