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參數(shù)資料
| 型號： | 150K40 |
| 英文描述： | Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits |
| 中文描述： | 二極管150A陰極螺柱 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | 150K40 |
45L(R), 150K/ L/ KS(R) Series
Voltage
V
RRM
, maximum repetitive
V
RSM
, maximum non-
I
RRM
max.
Type number**
Code
peak reverse voltage
repetitive peak rev. voltage
@ T
J
= 175°C
VV
mA
5
50
100
35
10
100
200
35
20
200
300
35
30
300
400
35
40
400
500
35
60
600
720
35
80
800
960
32
100
1000
1200
24
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
45L(R) *
150K(R)
150L(R)
150KS(R)
* 45L 50V and 300V V
RRM classes are not available.
**Also available as JEDEC series 1N3288A through 1N3296A (DO-8 case style) and 1N3111 through 1N3092 (DO-30 case style)
Forward Conduction
I
F(AV)
Max. average forward current
150
A
180° conduction, half sine wave
@ Case temperature
150
°C
I
F(RMS)
Max. RMS forward current
235
A
DC @ 142°C case temperature
I
FSM
Max. peak, one-cycle forward,
3570
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
3740
t = 8.3ms
reapplied
3000
t = 10ms
100% V
RRM
3140
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I2t
Maximum I2t for fusing
64
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max.
58
t = 8.3ms
reapplied
45
t = 10ms
100% V
RRM
41
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
640
KA2
√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
F(TO)1
Low level value of threshold
voltage
V
F(TO)2
High level value of threshold
voltage
r
f1
Low level value of forward
slope resistance
r
f2
High level value of forward
slope resistance
V
FM
Max. forward voltage drop
1.33
V
I
pk
= 471A, T
J
= 25°C, t
p
= 10ms sinusoidal wave
Parameter
45L /150...
Units
Conditions
KA2s
A
V
m
0.67
(16.7% x
π x I
F(AV)
< I <
π x I
F(AV)
), T
J
= T
J
max.
0.83
(I > x
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
1.42
(16.7% x
π x I
F(AV)
< I <
π x I
F(AV)
), T
J
= T
J
max.
0.91
(I > x
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 150KR100 | Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits |
| 150KR30 | Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits |
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| 150KS20 | DIODE 150A CATHODE STUD |
| 150KS30 | DIODE 150A CATHODE STUD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 150K40A | 功能描述:整流器 SI STND RECOV DO-8 200-1000V 150A 400PV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 150K40AM | 功能描述:DIODE STD REC 400V 150A DO8/M12 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 150K5A | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:Rectifiers Standard Recovery |
| 150K5PCT | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 150K60 | 制造商:NAINA 制造商全稱:Naina Semiconductor ltd. 功能描述:SILICON POWER DIODE |
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