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參數(shù)資料
| 型號： | 183NQ080 |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 180 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, D-67, HALF PACK-1 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 183NQ080 |
183NQ...(R) Series
Bulletin PD-2.256 rev. B 05/02
2
www.irf.com
T
J
Max. Junction Temperature Range
-55 to 175
°C
T
stg
Max. Storage Temperature Range
-55 to 175
°C
R
thJC Max. Thermal Resistance Junction
0.30
°C/W DCoperation
* See Fig. 4
to Case
R
thCS Typical Thermal Resistance, Case to
0.15
°C/W Mounting surface , smooth and greased
Heatsink
wt
Approximate Weight
25.6(0.9) g(oz.)
T
MountingTorque
Min.
40 (35)
Non-lubricatedthreads
Max.
58 (50)
Terminal Torque
Min.
58 (50)
Max.
86 (75)
CaseStyle
HALF PAK Module
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
183NQ Units
Conditions
Kg-cm
(Ibf-in)
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
(1)
0.95
V
@ 180A
* See Fig. 1
1.14
V
@ 360A
0.75
V
@ 180A
0.89
V
@ 360A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current (1)
4.5
mA
T
J =
25 °C
* See Fig. 2
60
mA
T
J = 125 °C
C
T
Max. Junction Capacitance
4150
pF
V
R = 5VDC, (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25 °C
L
S
Typical Series Inductance
6.0
nH
From top of terminal hole to mounting plane
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10000
V/ s
(Rated V
R)
T
J =
25 °C
T
J = 125 °C
V
R = rated VR
Parameters
183NQ Units
Conditions
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2%
Electrical Specifications
I
F(AV) Max. Average Forward Current
180
A
50% duty cycle @ T
C = 116° C, rectangular wave form
* See Fig. 5
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
22,000
5s Sine or 3s Rect. pulse
Surge Current * See Fig. 7
1550
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
E
AS
Non-RepetitiveAvalancheEnergy
15
mJ
T
J = 25 °C, IAS = 1 Amps, L = 30 mH
I
AR
RepetitiveAvalancheCurrent
1
A
Currentdecayinglinearlytozeroin1sec
Frequency limited by T
J max. VA = 1.5 x VR typical
Parameters
183NQ Units
Conditions
Absolute Maximum Ratings
A
Following any rated
load condition and
with rated V
RRM applied
Part number
183NQ080
183NQ090
183NQ100
V
R
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
Voltage Ratings
80
90
100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1.5KE6.8A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6376RL4 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6385 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 10R1/DD | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N4370ATA2 | 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 183NQ080-1 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 80V 180A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:180A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 180A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:4.5mA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:4150pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:HALF-PAK 供應(yīng)商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊） 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:27 |
| 183NQ090 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER |
| 183NQ100 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 180A HALFPAK RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管，整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:30A 電壓 - (Vr)（最大）:400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件 |
| 183NQ100-1 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 180A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:180A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 180A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:4.5mA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:4150pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:HALF-PAK 供應(yīng)商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊） 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:27 |
| 183NQ100PBF | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:183NQ100PbF Series 100 V 180 A Schottky Rectifier - HALF-PAK (D-67) |
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