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參數資料
| 型號： | 1H6GP |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, R-1, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | 1H6GP |
1H1G
THRU
1H7G
1.0 Amp Glass
Passivated High
Efficient Rectifier
50 - 1000 Volts
Features
Low Leakage Current
Fast Switching for High Efficiency
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55
OC to +150OC
Storage Temperature: -55
OC to +150OC
Typical Thermal Resistance; 60
OC/W Junction To Case
18
OC/W Junction To Ambient
MCC Part
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
1H1G
50V
35V
50V
1H2G
100V
70V
100V
1H3G
200V
140V
200V
1H4G
400V
280V
400V
1H5G
600V
420V
600V
1H6G
800V
560V
800V
1H7G
1000V
700V
1000V
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
1.0A
TA = 55
OC
Peak Forward Surge
Current
IFSM
30A
8.3ms, half sine
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
1H1G-4G
1H5G
1H6-1H7G
VF
1.0V
1.3V
1.7V
IFM = 1.0A;
TJ = 25
OC
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
5.0uA
150uA
TJ = 25
OC
TJ = 125
OC
Maximum Reverse
Recovery Time
1H1G-1H5G
1H6G-1H7G
Trr
50ns
75ns
IF=0.5A, IR=1.0A
IRR=0.25A
Typical Junction
Capacitance
1H1G-1H5G
1H6G-1H7G
CJ
20pF
15pF
Measured at
1.0MHz, VR=4.0V
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 2
2006/05/01
R-1
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.116
0.140
2.90
3.50
B
0.091
0.102
2.30
2.60
C
0.020
0.024
0.50
0.60
D
0.787
-----
20.00
-----
DIMENSIONS
DIM
INCHES
MM
NOTE
A
B
D
C
Cathode Mark
TM
Micro Commercial Components
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1MN10T108 | 0.1 A, 80 V, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1MN11T109 | 0.1 A, 80 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N117 | GERMANIUM, SIGNAL DIODE |
| 1N1186A | 40 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
| 1N1614 | 5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1H6-T | 功能描述:整流器 1A 600V 70ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1H6-T3 | 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A ULTRAFAST DIODE |
| 1H6-TB | 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A ULTRAFAST DIODE |
| 1H7 | 功能描述:整流器 HI Eff Rectifier 1A,800V,70ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1H7-B | 功能描述:整流器 1A 800V 70ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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