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參數資料
型號: 1N1185
廠商: MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Silicon Power Rectifier
中文描述: 40 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB
封裝: METAL, DO-5, 1 PIN
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 128K
代理商: 1N1185
相關PDF資料
PDF描述
1N1185A Silicon Power Rectifier
1N3765 Silicon Power Rectifier
1N3767 Silicon Power Rectifier
1N1187 Silicon Power Rectifier
1N1187A Silicon Power Rectifier
相關代理商/技術參數
參數描述
1N1185A 功能描述:DIODE STD REC 150V 40A DO-5 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
1N1185AR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Standard Rectifier (trr more than 500ns)
1N1185R 功能描述:DIODE STD REC 150V 35A DO-5 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
1N1185RA 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:STANDARD DIODE 40A 150V DO-5 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:STANDARD DIODE, 40A, 150V, DO-5; Diode Type:Standard Recovery; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:150V; Forward Current If(AV):40A; Forward Voltage VF Max:1.19V; Forward Surge Current Ifsm Max:800A ;RoHS Compliant: Yes
1N1186 功能描述:整流器 200V 35A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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