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參數資料
| 型號： | 1N1186R |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Military Silicon Power Rectifier |
| 中文描述： | 35 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 封裝： | METAL, DO-5, 1 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | 1N1186R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N1190R | Military Silicon Power Rectifier |
| 1N1188R | Military Silicon Power Rectifier |
| 1N1184 | 35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes |
| 1N3768 | MKDSD 1,5/ 6-3,81 |
| 1N1184A | 35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N1186RA | 功能描述:DIODE STD REC 200V 40A DO-5 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 1N1187 | 功能描述:整流器 300V 35A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N1187A | 功能描述:DIODE STD REC 300V 40A DO-5 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 1N1187AR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 300V 40A 2-Pin DO-5 T/R |
| 1N1187R | 功能描述:整流器 300V 35A REV Leads Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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