- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄366117 > 1N1200C (MICROSEMI CORP-LAWRENCE) SILICON POWER RECTIFIER PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 1N1200C |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SILICON POWER RECTIFIER |
| 中文描述： | 25 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 封裝： | METAL, DO-4, 1 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | 1N1200C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N1201C | SILICON POWER RECTIFIER |
| 1N3623 | SILICON POWER RECTIFIER |
| 1N3624 | SILICON POWER RECTIFIER |
| 1N1204C | SILICON POWER RECTIFIER |
| 1N3666 | GOLD BONDED DIODES |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N1200CR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon Power Rectifiers |
| 1N1200R | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 100V 12A 2PIN DO-4 - Bulk |
| 1N1200RA | 功能描述:DIODE STD REC 100V 12A DO-4 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 1N1201 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 150V 12A 2PIN DO-4 - Bulk |
| 1N1201A | 功能描述:DIODE STD REC 150V 12A DO-4 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。