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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N2970 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 6.8 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-203AA |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS, DO-4, 1 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 1N2970 |
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 1N2970_1 | 制造商:NAINA 制造商全稱:Naina Semiconductor ltd. 功能描述:Zener Diodes |
| 1N2970_1402 | 制造商:AMERICASEMI 制造商全稱:AMERICASEMI 功能描述:10W Zener Diodes |
| 1N2970A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 6.8V 10% 10W 2PIN DO-4 - Bulk |
| 1N2970AR | 制造商:NAINA 制造商全稱:Naina Semiconductor ltd. 功能描述:10 WATT ZENER DIODES |
| 1N2970B | 功能描述:ZENER DIODE 6.8V D0-4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納（標(biāo)稱）(Vz):36V 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
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