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參數資料
| 型號： | 1N3290 |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 100 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-8 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 398K |
| 代理商： | 1N3290 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N3573R | 3.5 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| 1N4509 | 12 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| 1N2377 | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5618USS | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N6286C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N3290A | 功能描述:RECTIFIER STUD 300V 100A DO-8 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 1N3290AR | 功能描述:RECTIFIER STUD 300V 100A DO-8 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 1N3290R | 功能描述:整流器 300 Volt 150 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N3290R/(MATRIX) | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:300V 100A |
| 1N3290S | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON POWER RECTIFIER |
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