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參數資料
| 型號： | 1N4003G |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | 1N4003G |
CREAT BY ART
Glass passivated chip junction
High current capability, Low VF
High reliability
High surge current capability
Low power loss, high efficiency
1N400XG
= Specific Device Code
G
= Green Compound
Y
= Year
WW
= Work Week
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25 ℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Symbol
1N
4001
1N
4002G
1N
4003G
1N
4004G
1N
4005G
1N
4006G
1N
4007G
Unit
VRRM
50
100
200
400
600
800
1000
V
VRMS
35
70
140
280
420
560
700
V
VDC
50
100
200
400
600
800
1000
V
IF(AV)
A
IFSM
A
Cj
pF
RθjA
OC/W
TJ
OC
TSTG
OC
Note1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle
Note2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Note3: Mount on Cu-Pad Size 5mm × 5mm on P.C.B.
IR
Storage Temperature Range
- 65 to + 150
Operating Temperature Range
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Version:I11
uA
80
30
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Maximum DC Blocking Voltage
1N4001G - 1N4007G
1.0 AMP. Glass Passivated Rectifiers
Marking Diagram
DO-41
Dimensions in inches and (millimeters)
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Case: Molded plastic DO-41
1.0
Type Number
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length @TA=75℃
Maximum Reverse Current @ Rated VR TA=25 ℃
T A=125℃
100
10
- 65 to + 150
5
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC method)
Features
Maximum RMS Voltage
Mechanical Data
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Lead: Pure tin plated, lead free, solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
High temperature soldering guaranteed: 260℃/10s
/.375", (9.5mm) lead lengths at 5 lbs, (2.3kg) tension
Green compound with suffix "G" on packing
code & prefix "G" on datecode
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.34 grams
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
@ 1.0A
VF
1.0
V
Pb
RoHS
COMPLIANCE
RoHS
COMPLIANCE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4004G | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4003S | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4003 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4003 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4004 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4003-G | 功能描述:整流器 VR=200V, IO=1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4003G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 |
| 1N4003G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 |
| 1N4003G BK | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態:生命周期結束 標準包裝:2,000 |
| 1N4003G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 |
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