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參數資料
| 型號： | 1N4003G |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | 1N4003G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4383GP | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N5404 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 6A6 | 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A10 | 6 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A4 | 6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4003-G | 功能描述:整流器 VR=200V, IO=1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4003G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 |
| 1N4003G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 |
| 1N4003G BK | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態:生命周期結束 標準包裝:2,000 |
| 1N4003G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 |
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